2N7002E
Número do Produto do Fabricante:

2N7002E

Product Overview

Fabricante:

ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED

DiGi Electronics Número da Peça:

2N7002E-DG

Descrição:

N-CHANNEL SMD MOSFET ESD PROTECT
Descrição Detalhada:
N-Channel 60 V 340mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount SOT-23

Inventário:

19405 Pcs Novo Original Em Estoque
12988919
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2N7002E Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Anbon Semiconductor
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
60 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
340mA (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5Ohm @ 300mA, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
2.4 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
18 pF @ 30 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
350mW (Ta)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
SOT-23
Pacote / Estojo
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número do produto base
2N7002

Informação Adicional

Outros nomes
4530-2N7002ETR
Pacote padrão
3,000

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificação DIGI
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