Número do Produto do Fabricante:
AS1M025120T
Product Overview
Fabricante:
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
DiGi Electronics Número da Peça:
AS1M025120T-DG
Descrição:
N-CHANNEL SILICON CARBIDE POWER
Descrição Detalhada:
N-Channel 1200 V 65A (Tc) 370W (Tc) Through Hole TO-247-4
Inventário:
15 Pcs Novo Original Em Estoque
12988912
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AS1M025120T Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Anbon Semiconductor
Embalagem
Tube
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
SiCFET (Silicon Carbide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
1200 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
65A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
34mOhm @ 50A, 20V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 15mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
195 nC @ 20 V
Vgs (máx.)
+25V, -10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4200 pF @ 1000 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
370W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-247-4
Pacote / Estojo
TO-247-4
Informação Adicional
Outros nomes
4530-AS1M025120T
Pacote padrão
30
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificação DIGI
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