Número do Produto do Fabricante:
MT3S111TU,LF
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Número da Peça:
MT3S111TU,LF-DG
Descrição:
RF SIGE NPN BIPOLAR TRANSISTOR N
Descrição Detalhada:
RF Transistor NPN 6V 100mA 10GHz 800mW Surface Mount UFM
Inventário:
3000 Pcs Novo Original Em Estoque
12889337
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ENVIAR
MT3S111TU,LF Especificações Técnicas
Categoria
Bipolar (BJT), Transistores RF Bipolares
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tipo de transistor
NPN
Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.)
6V
Frequência - Transição
10GHz
Figura de ruído (dB Typ @ f)
0.6dB ~ 0.85dB @ 500MHz ~ 1GHz
Ganhar
12.5dB
Potência - Máx.
800mW
Ganho de corrente CC (hFE) (min) @ Ic, Vce
200 @ 30mA, 5V
Corrente - Coletor (Ic) (Máx.)
100mA
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Estojo
3-SMD, Flat Lead
Pacote de dispositivos do fornecedor
UFM
Número do produto base
MT3S111
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
MT3S111TULFDKR
MT3S111TU,LF(T
MT3S111TU,LF(B
MT3S111TULFCT
MT3S111TULFTR
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Certificação DIGI
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