Número do Produto do Fabricante:
MT3S113P(TE12L,F)
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Número da Peça:
MT3S113P(TE12L,F)-DG
Descrição:
RF TRANS NPN 5.3V 7.7GHZ PW-MINI
Descrição Detalhada:
RF Transistor NPN 5.3V 100mA 7.7GHz 1.6W Surface Mount PW-MINI
Inventário:
6 Pcs Novo Original Em Estoque
12889648
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MT3S113P(TE12L,F) Especificações Técnicas
Categoria
Bipolar (BJT), Transistores RF Bipolares
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tipo de transistor
NPN
Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.)
5.3V
Frequência - Transição
7.7GHz
Figura de ruído (dB Typ @ f)
1.45dB @ 1GHz
Ganhar
10.5dB
Potência - Máx.
1.6W
Ganho de corrente CC (hFE) (min) @ Ic, Vce
200 @ 30mA, 5V
Corrente - Coletor (Ic) (Máx.)
100mA
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Estojo
TO-243AA
Pacote de dispositivos do fornecedor
PW-MINI
Número do produto base
MT3S113
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
MT3S113P(TE12LF)TR
MT3S113P(TE12LF)DKR
MT3S113P(TE12LF)CT
MT3S113P(TE12LF)
Pacote padrão
1,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
BFP843H6327XTSA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
QUANTIDADE DISPONÍVEL
6037
NÚMERO DA PEÇA
BFP843H6327XTSA1-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.14
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Similar
NÚMERO DA PEÇA
BFP196E6327HTSA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
QUANTIDADE DISPONÍVEL
13440
NÚMERO DA PEÇA
BFP196E6327HTSA1-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.07
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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