MT3S111(TE85L,F)
Número do Produto do Fabricante:

MT3S111(TE85L,F)

Product Overview

Fabricante:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics Número da Peça:

MT3S111(TE85L,F)-DG

Descrição:

RF TRANS NPN 6V 11.5GHZ SMINI
Descrição Detalhada:
RF Transistor NPN 6V 100mA 11.5GHz 700mW Surface Mount S-Mini

Inventário:

7771 Pcs Novo Original Em Estoque
12889624
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MT3S111(TE85L,F) Especificações Técnicas

Categoria
Bipolar (BJT), Transistores RF Bipolares
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tipo de transistor
NPN
Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.)
6V
Frequência - Transição
11.5GHz
Figura de ruído (dB Typ @ f)
1.2dB @ 1GHz
Ganhar
12dB
Potência - Máx.
700mW
Ganho de corrente CC (hFE) (min) @ Ic, Vce
200 @ 30mA, 5V
Corrente - Coletor (Ic) (Máx.)
100mA
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Estojo
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacote de dispositivos do fornecedor
S-Mini
Número do produto base
MT3S111

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados

Informação Adicional

Outros nomes
MT3S111(TE85LF)DKR
MT3S111(TE85LF)TR
MT3S111(TE85LF)
MT3S111(TE85LF)CT
Pacote padrão
3,000

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Certificação DIGI
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