Número do Produto do Fabricante:
TSM60NB1R4CH
Product Overview
Fabricante:
Taiwan Semiconductor Corporation
DiGi Electronics Número da Peça:
TSM60NB1R4CH-DG
Descrição:
600V, 3A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 3A (Tc) 28.4W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
Inventário:
13374221
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TSM60NB1R4CH Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Taiwan Semiconductor
Embalagem
Tube
Série
-
Empacotamento
Tube
Status da peça
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
3A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.4Ohm @ 900mA, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
7.12 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
257.3 pF @ 100 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
28.4W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-251 (IPAK)
Pacote / Estojo
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Número do produto base
TSM60
Informação Adicional
Outros nomes
1801-TSM60NB1R4CH
Pacote padrão
15,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
STU6N65M2
FABRICANTE
STMicroelectronics
QUANTIDADE DISPONÍVEL
543
NÚMERO DA PEÇA
STU6N65M2-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.44
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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Certificação DIGI
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