Número do Produto do Fabricante:
STW19NM65N
Product Overview
Fabricante:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Número da Peça:
STW19NM65N-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 650V 15.5A TO247-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 650 V 15.5A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventário:
12876591
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STW19NM65N Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalagem
-
Série
MDmesh™ II
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
650 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
15.5A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
270mOhm @ 7.75A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
55 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±25V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1900 pF @ 50 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
150W (Tc)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-247-3
Pacote / Estojo
TO-247-3
Número do produto base
STW19N
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
-497-7033-5
497-7033-5
Pacote padrão
30
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
SIHG15N60E-GE3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTIDADE DISPONÍVEL
0
NÚMERO DA PEÇA
SIHG15N60E-GE3-DG
PREÇO UNITÁRIO
1.40
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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FABRICANTE
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QUANTIDADE DISPONÍVEL
9
NÚMERO DA PEÇA
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PREÇO UNITÁRIO
12.56
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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IXTH20N65X
FABRICANTE
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QUANTIDADE DISPONÍVEL
595
NÚMERO DA PEÇA
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PREÇO UNITÁRIO
5.92
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QUANTIDADE DISPONÍVEL
0
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PREÇO UNITÁRIO
2.36
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QUANTIDADE DISPONÍVEL
196
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PREÇO UNITÁRIO
1.66
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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