Número do Produto do Fabricante:
STULED656
Product Overview
Fabricante:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Número da Peça:
STULED656-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 650V 6A IPAK
Descrição Detalhada:
N-Channel 650 V 6A (Tc) 70W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
Inventário:
12876608
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STULED656 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
650 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.3Ohm @ 2.7A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4.5V @ 50µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
895 pF @ 100 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
70W (Tc)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-251 (IPAK)
Pacote / Estojo
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Número do produto base
STULED
Informação Adicional
Outros nomes
497-13981-5
STULED656-DG
Pacote padrão
75
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
IPS65R950C6AKMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
QUANTIDADE DISPONÍVEL
150
NÚMERO DA PEÇA
IPS65R950C6AKMA1-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.66
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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