Número do Produto do Fabricante:
STP9NM50N
Product Overview
Fabricante:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Número da Peça:
STP9NM50N-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 500V 5A TO220AB
Descrição Detalhada:
N-Channel 500 V 5A (Tc) 70W (Tc) Through Hole TO-220
Inventário:
12876611
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STP9NM50N Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalagem
-
Série
MDmesh™
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
500 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
5A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
560mOhm @ 3.7A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±25V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
570 pF @ 50 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
70W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220
Pacote / Estojo
TO-220-3
Número do produto base
STP9N
Informação Adicional
Outros nomes
STP9NM50N-DG
-497-7537-5
497-7537-5
Pacote padrão
1,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
IXTP6N50D2
FABRICANTE
IXYS
QUANTIDADE DISPONÍVEL
2275
NÚMERO DA PEÇA
IXTP6N50D2-DG
PREÇO UNITÁRIO
4.59
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Similar
NÚMERO DA PEÇA
IRFB11N50APBF
FABRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTIDADE DISPONÍVEL
2122
NÚMERO DA PEÇA
IRFB11N50APBF-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.98
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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