SCTWA40N12G24AG
Número do Produto do Fabricante:

SCTWA40N12G24AG

Product Overview

Fabricante:

STMicroelectronics

DiGi Electronics Número da Peça:

SCTWA40N12G24AG-DG

Descrição:

TO247-4
Descrição Detalhada:
N-Channel 1200 V 33A (Tc) 290W (Tc) Through Hole TO-247-4

Inventário:

13269629
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR

SCTWA40N12G24AG Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalagem
Tube
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
1200 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
33A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
105mOhm @ 20A, 18V
vgs(th) (máx) @ id
5V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
63 nC @ 18 V
Vgs (máx.)
+22V, -10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1230 pF @ 800 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
290W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 200°C (TJ)
Grau
Automotive
Qualificação
AEC-Q101
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-247-4
Pacote / Estojo
TO-247-4

Informação Adicional

Outros nomes
497-SCTWA40N12G24AG
Pacote padrão
600

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH Status
REACH Unaffected
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
goford-semiconductor

G1K1P06LH

MOSFET P-CH 60V 4.5A 3.1W SOT-2