Número do Produto do Fabricante:
SCT055W65G3-4AG
Product Overview
Fabricante:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Número da Peça:
SCT055W65G3-4AG-DG
Descrição:
TO247-4
Descrição Detalhada:
N-Channel 650 V 30A (Tc) 210W (Tc) Through Hole TO-247-4
Inventário:
13269635
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SCT055W65G3-4AG Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalagem
Tube
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
650 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
15V, 18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
72mOhm @ 15A, 18V
vgs(th) (máx) @ id
4.2V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
32 nC @ 18 V
Vgs (máx.)
+18V, -5V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
721 pF @ 40 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
210W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 200°C (TJ)
Grau
Automotive
Qualificação
AEC-Q101
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-247-4
Pacote / Estojo
TO-247-4
Informação Adicional
Outros nomes
497-SCT055W65G3-4AG
Pacote padrão
600
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH Status
REACH Unaffected
Certificação DIGI
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