Número do Produto do Fabricante:
SCT027W65G3-4AG
Product Overview
Fabricante:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Número da Peça:
SCT027W65G3-4AG-DG
Descrição:
TO247-4
Descrição Detalhada:
N-Channel 650 V 60A (Tc) 313W (Tc) Through Hole TO-247-4
Inventário:
13269636
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
SCT027W65G3-4AG Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalagem
Tube
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
650 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
15V, 18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
39.3mOhm @ 30A, 18V
vgs(th) (máx) @ id
4.2V @ 5mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
51 nC @ 18 V
Vgs (máx.)
+22V, -10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1229 pF @ 400 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
313W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 200°C (TJ)
Grau
Automotive
Qualificação
AEC-Q101
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-247-4
Pacote / Estojo
TO-247-4
Informação Adicional
Outros nomes
497-SCT027W65G3-4AG
Pacote padrão
600
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH Status
REACH Unaffected
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
G1K1P06LH
MOSFET P-CH 60V 4.5A 3.1W SOT-2
NTMFS0D9N04XLT1G
40V T10S IN S08FL PACKAGE
NTMFS0D7N04XLT1G
40V T10S IN S08FL PACKAGE