Número do Produto do Fabricante:
RW1E015RPT2R
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
RW1E015RPT2R-DG
Descrição:
MOSFET P-CH 30V 1.5A WEMT6
Descrição Detalhada:
P-Channel 30 V 1.5A (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount 6-WEMT
Inventário:
303 Pcs Novo Original Em Estoque
13080619
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RW1E015RPT2R Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalagem
-
Série
-
Empacotamento
Tape & Reel (TR)
Status da peça
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
30 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
1.5A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
160mOhm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.5V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
3.2 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
230 pF @ 10 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
400mW (Ta)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
6-WEMT
Pacote / Estojo
6-SMD, Flat Leads
Número do produto base
RW1E015
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
RW1E015RPT2RCT
846-RW1E015RPT2RCT
846-RW1E015RPT2RTR
RW1E015RPT2RTR
846-RW1E015RPT2RDKR
RW1E015RPT2RDKR
Pacote padrão
8,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
RV4E031RPHZGTCR1
FABRICANTE
Rohm Semiconductor
QUANTIDADE DISPONÍVEL
5852
NÚMERO DA PEÇA
RV4E031RPHZGTCR1-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.24
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Similar
NÚMERO DA PEÇA
SSM6J207FE,LF
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTIDADE DISPONÍVEL
3995
NÚMERO DA PEÇA
SSM6J207FE,LF-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.08
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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