Número do Produto do Fabricante:
IRFS614B
Product Overview
Fabricante:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
IRFS614B-DG
Descrição:
N-CHANNEL POWER MOSFET
Descrição Detalhada:
N-Channel 250 V 2.8A (Tj) 22W (Tc) Through Hole TO-220F
Inventário:
46499 Pcs Novo Original Em Estoque
13110694
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IRFS614B Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Embalagem
Bulk
Série
-
Empacotamento
Bulk
Status da peça
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
250 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
2.8A (Tj)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2Ohm @ 1.4A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
10.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
275 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
22W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220F
Pacote / Estojo
TO-220-3 Full Pack
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
FAIFSCIRFS614B
2156-IRFS614B
Pacote padrão
1,665
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
RoHS non-compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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