Número do Produto do Fabricante:
RV4E031RPHZGTCR1
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
RV4E031RPHZGTCR1-DG
Descrição:
MOSFET P-CH 30V 3.1A DFN1616-6W
Descrição Detalhada:
P-Channel 30 V 3.1A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount, Wettable Flank DFN1616-6W
Inventário:
5852 Pcs Novo Original Em Estoque
12948541
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RV4E031RPHZGTCR1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
30 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
105mOhm @ 3.1A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.5V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
4.8 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
460 pF @ 10 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
1.5W (Ta)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grau
Automotive
Qualificação
AEC-Q101
Tipo de montagem
Surface Mount, Wettable Flank
Pacote de dispositivos do fornecedor
DFN1616-6W
Pacote / Estojo
6-PowerWFDFN
Número do produto base
RV4E031
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
846-RV4E031RPHZGTCR1TR
846-RV4E031RPHZGTCR1CT
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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