RQ7L055BGTCR
Número do Produto do Fabricante:

RQ7L055BGTCR

Product Overview

Fabricante:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Número da Peça:

RQ7L055BGTCR-DG

Descrição:

NCH 60V 5.5A, TSMT8, POWER MOSFE
Descrição Detalhada:
N-Channel 60 V 5.5A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount TSMT8

Inventário:

2970 Pcs Novo Original Em Estoque
12976106
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RQ7L055BGTCR Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
60 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
5.5A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
29mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.5V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
7.6 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
460 pF @ 30 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
1.1W (Ta)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TSMT8
Pacote / Estojo
8-SMD, Flat Lead
Número do produto base
RQ7L055

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados

Informação Adicional

Outros nomes
846-RQ7L055BGTCRTR
846-RQ7L055BGTCRCT
Pacote padrão
3,000

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DA PEÇA
RQ7L055BGTCR
FABRICANTE
Rohm Semiconductor
QUANTIDADE DISPONÍVEL
2970
NÚMERO DA PEÇA
RQ7L055BGTCR-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.36
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Parametric Equivalent
Certificação DIGI
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