SCT4018KRC15
Número do Produto do Fabricante:

SCT4018KRC15

Product Overview

Fabricante:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Número da Peça:

SCT4018KRC15-DG

Descrição:

1200V, 18M, 4-PIN THD, TRENCH-ST
Descrição Detalhada:
N-Channel 1200 V 81A (Tc) 312W Through Hole TO-247-4L

Inventário:

4917 Pcs Novo Original Em Estoque
12976118
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR

SCT4018KRC15 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalagem
Tube
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
SiCFET (Silicon Carbide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
1200 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
81A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
23.4mOhm @ 42A, 18V
vgs(th) (máx) @ id
4.8V @ 22.2mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
170 nC @ 18 V
Vgs (máx.)
+21V, -4V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4532 pF @ 800 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
312W
Temperatura de operação
175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-247-4L
Pacote / Estojo
TO-247-4
Número do produto base
SCT4018

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados

Informação Adicional

Outros nomes
846-SCT4018KRC15
Pacote padrão
30

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
microchip-technology

APT10M11LVRG

MOSFET N-CH 100V 100A TO264

stmicroelectronics

TD134N4F7AG

MOSFET N-CH 40V 80A DPAK

harris-corporation

RF1S23N06LE

23A, 60V, 0.065OHM, N-CHANNEL,

rohm-semi

R6024VNXC7G

600V 13A TO-220FM, PRESTOMOS WIT