Número do Produto do Fabricante:
RCD100N19TL
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
RCD100N19TL-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 190V 10A CPT3
Descrição Detalhada:
N-Channel 190 V 10A (Tc) 850mW (Ta), 20W (Tc) Surface Mount CPT3
Inventário:
1108 Pcs Novo Original Em Estoque
13526992
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
RCD100N19TL Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalagem
Cut Tape (CT)
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
190 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
182mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.5V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
52 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2000 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
850mW (Ta), 20W (Tc)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
CPT3
Pacote / Estojo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número do produto base
RCD100
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
RCD100N19TLTR
RCD100N19TLDKR
RCD100N19TLCT
Pacote padrão
2,500
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
RD3S100CNTL1
FABRICANTE
Rohm Semiconductor
QUANTIDADE DISPONÍVEL
2256
NÚMERO DA PEÇA
RD3S100CNTL1-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.88
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Similar
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
RQ1E075XNTCR
MOSFET N-CH 30V 7.5A TSMT8
SCT3022ALGC11
SICFET N-CH 650V 93A TO247N
RSD201N10TL
MOSFET N-CH 100V 20A CPT3
