Número do Produto do Fabricante:
RD3S100CNTL1
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
RD3S100CNTL1-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 190V 10A TO252
Descrição Detalhada:
N-Channel 190 V 10A (Tc) 85W (Tc) Surface Mount TO-252
Inventário:
2256 Pcs Novo Original Em Estoque
13527389
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RD3S100CNTL1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
190 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
182mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.5V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
52 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2000 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
85W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-252
Pacote / Estojo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número do produto base
RD3S100
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
RD3S100CNTL1TR
RD3S100CNTL1DKR
RD3S100CNTL1CT
Pacote padrão
2,500
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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