Número do Produto do Fabricante:
SCT3022ALGC11
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
SCT3022ALGC11-DG
Descrição:
SICFET N-CH 650V 93A TO247N
Descrição Detalhada:
N-Channel 650 V 93A (Tc) 339W (Tc) Through Hole TO-247N
Inventário:
1695 Pcs Novo Original Em Estoque
13527008
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SCT3022ALGC11 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalagem
Tube
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
SiCFET (Silicon Carbide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
650 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
93A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
28.6mOhm @ 36A, 18V
vgs(th) (máx) @ id
5.6V @ 18.2mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
133 nC @ 18 V
Vgs (máx.)
+22V, -4V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2208 pF @ 500 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
339W (Tc)
Temperatura de operação
175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-247N
Pacote / Estojo
TO-247-3
Número do produto base
SCT3022
Folha de Dados & Documentos
Recursos de design
Documentos de confiabilidade
Folhas de dados
Informação Adicional
Pacote padrão
30
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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