Número do Produto do Fabricante:
R6046FNZ1C9
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
R6046FNZ1C9-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 46A TO247
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 46A (Tc) 120W (Tc) Through Hole TO-247
Inventário:
278 Pcs Novo Original Em Estoque
12823329
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R6046FNZ1C9 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalagem
Tube
Série
-
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
46A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
98mOhm @ 23A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
5V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
150 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
6230 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
120W (Tc)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-247
Pacote / Estojo
TO-247-3
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
846-R6046FNZ1C9
Pacote padrão
450
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
TK31N60X,S1F
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTIDADE DISPONÍVEL
20
NÚMERO DA PEÇA
TK31N60X,S1F-DG
PREÇO UNITÁRIO
2.57
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FABRICANTE
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QUANTIDADE DISPONÍVEL
590
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PREÇO UNITÁRIO
3.88
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13.25
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QUANTIDADE DISPONÍVEL
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PREÇO UNITÁRIO
11.16
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