Número do Produto do Fabricante:
IRF6644TRPBF
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IRF6644TRPBF-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 10.3A DIRECTFET
Descrição Detalhada:
N-Channel 100 V 10.3A (Ta), 60A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MN
Inventário:
18711 Pcs Novo Original Em Estoque
12823344
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IRF6644TRPBF Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
HEXFET®
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
10.3A (Ta), 60A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
13mOhm @ 10.3A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4.8V @ 150µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
47 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2210 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Temperatura de operação
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
DIRECTFET™ MN
Pacote / Estojo
DirectFET™ Isometric MN
Número do produto base
IRF6644
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
IRF6644TRPBFDKR
IRF6644TRPBFCT
SP001563476
IRF6644TRPBFTR
Pacote padrão
4,800
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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