Número do Produto do Fabricante:
IPU80R1K0CEAKMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IPU80R1K0CEAKMA1-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 800V 5.7A TO251-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 800 V 5.7A (Tc) 83W (Tc) Through Hole PG-TO251-3-341
Inventário:
12823335
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IPU80R1K0CEAKMA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
-
Série
CoolMOS™ CE
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
800 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
5.7A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
950mOhm @ 3.6A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3.9V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
785 pF @ 100 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
83W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO251-3-341
Pacote / Estojo
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Número do produto base
IPU80R1
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
2156-IPU80R1K0CEAKMA1
SP001593928
INFINFIPU80R1K0CEAKMA1
Pacote padrão
1,500
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
TK6Q65W,S1Q
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTIDADE DISPONÍVEL
75
NÚMERO DA PEÇA
TK6Q65W,S1Q-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.47
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
NÚMERO DA PEÇA
IPU80R1K2P7AKMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
QUANTIDADE DISPONÍVEL
0
NÚMERO DA PEÇA
IPU80R1K2P7AKMA1-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.41
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
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