Número do Produto do Fabricante:
FCH25N60N
Product Overview
Fabricante:
onsemi
DiGi Electronics Número da Peça:
FCH25N60N-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 25A TO247-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 25A (Tc) 216W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventário:
12838792
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FCH25N60N Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalagem
-
Série
SupreMOS™
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
25A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
126mOhm @ 12.5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
74 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3352 pF @ 100 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
216W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-247-3
Pacote / Estojo
TO-247-3
Número do produto base
FCH25N60
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
FCH25N60NOS
2156-FCH25N60N-488
FCH25N60N-DG
Pacote padrão
30
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
IPW60R099CPAFKSA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
QUANTIDADE DISPONÍVEL
196
NÚMERO DA PEÇA
IPW60R099CPAFKSA1-DG
PREÇO UNITÁRIO
4.16
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QUANTIDADE DISPONÍVEL
0
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PREÇO UNITÁRIO
3.91
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PREÇO UNITÁRIO
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PREÇO UNITÁRIO
6.79
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