Número do Produto do Fabricante:
IXFH34N65X2
Product Overview
Fabricante:
IXYS
DiGi Electronics Número da Peça:
IXFH34N65X2-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 650V 34A TO247
Descrição Detalhada:
N-Channel 650 V 34A (Tc) 540W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Inventário:
89 Pcs Novo Original Em Estoque
12820623
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
IXFH34N65X2 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalagem
Tube
Série
HiPerFET™, Ultra X2
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
650 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
34A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
105mOhm @ 17A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
5.5V @ 2.5mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3330 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
540W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-247 (IXTH)
Pacote / Estojo
TO-247-3
Número do produto base
IXFH34
Folha de Dados & Documentos
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
IXFH34N65X2XINACTIVE
IXFH34N65X2X
IXFH34N65X2X-DG
Pacote padrão
30
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
IXFX24N90Q
MOSFET N-CH 900V 24A PLUS247-3
IXTH68P20T
MOSFET P-CH 200V 68A TO247
IXFT340N075T2
MOSFET N-CH 75V 340A TO268