SCT3080ALGC11
Número do Produto do Fabricante:

SCT3080ALGC11

Product Overview

Fabricante:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Número da Peça:

SCT3080ALGC11-DG

Descrição:

SICFET N-CH 650V 30A TO247N
Descrição Detalhada:
N-Channel 650 V 30A (Tc) 134W (Tc) Through Hole TO-247N

Inventário:

1587 Pcs Novo Original Em Estoque
13524212
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SCT3080ALGC11 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalagem
Tube
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
SiCFET (Silicon Carbide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
650 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
104mOhm @ 10A, 18V
vgs(th) (máx) @ id
5.6V @ 5mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
48 nC @ 18 V
Vgs (máx.)
+22V, -4V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
571 pF @ 500 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
134W (Tc)
Temperatura de operação
175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-247N
Pacote / Estojo
TO-247-3
Número do produto base
SCT3080

Folha de Dados & Documentos

Recursos de design
TO-247N Inner Structure
Documentos de confiabilidade
MOS-3GTHD Reliability Test
Folhas de dados
SCT3080ALGC11 TO-247N Taping Spec

Informação Adicional

Pacote padrão
30

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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