Número do Produto do Fabricante:
PMN30UNE115
Product Overview
Fabricante:
NXP USA Inc.
DiGi Electronics Número da Peça:
PMN30UNE115-DG
Descrição:
NOW NEXPERIA PMN30UNE SMALL SIGN
Descrição Detalhada:
N-Channel 20 V 4.8A (Ta) 530mW (Ta), 4.46W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
Inventário:
12947355
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
PMN30UNE115 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
NXP Semiconductors
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
20 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
4.8A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
36mOhm @ 4.8A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id
0.9V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
9 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±8V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
558 pF @ 10 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
530mW (Ta), 4.46W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
6-TSOP
Pacote / Estojo
SC-74, SOT-457
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
2156-PMN30UNE115
NEXNXPPMN30UNE115
Pacote padrão
5,402
Classificação Ambiental e de Exportação
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
FDS6692A
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
PHB110NQ08T,118
MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
SI3443DV
MOSFET P-CH 20V 4.4A MICRO6
