Número do Produto do Fabricante:
FDS6692A
Product Overview
Fabricante:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
FDS6692A-DG
Descrição:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
Descrição Detalhada:
N-Channel 30 V 9A (Ta) 1.47W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventário:
1731 Pcs Novo Original Em Estoque
12947363
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FDS6692A Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Embalagem
Bulk
Série
PowerTrench®
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
30 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
9A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11.5mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1610 pF @ 15 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
1.47W (Ta)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-SOIC
Pacote / Estojo
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
2156-FDS6692A
FAIFSCFDS6692A
Pacote padrão
582
Classificação Ambiental e de Exportação
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certificação DIGI
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