Número do Produto do Fabricante:
PHB110NQ08T,118
Product Overview
Fabricante:
NXP USA Inc.
DiGi Electronics Número da Peça:
PHB110NQ08T,118-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
Descrição Detalhada:
N-Channel 75 V 75A (Tc) 230W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventário:
750 Pcs Novo Original Em Estoque
12947364
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PHB110NQ08T,118 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
NXP Semiconductors
Embalagem
Bulk
Série
TrenchMOS™
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
75 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
113.1 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4860 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
230W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
D2PAK
Pacote / Estojo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
2156-PHB110NQ08T,118
NEXNXPPHB110NQ08T,118
Pacote padrão
260
Classificação Ambiental e de Exportação
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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