Número do Produto do Fabricante:
IXTU1R4N60P
Product Overview
Fabricante:
IXYS
DiGi Electronics Número da Peça:
IXTU1R4N60P-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 1.4A TO251
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 1.4A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-251AA
Inventário:
12818879
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
IXTU1R4N60P Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalagem
-
Série
PolarHV™
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
1.4A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9Ohm @ 700mA, 10V
vgs(th) (máx) @ id
5.5V @ 25µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
5.2 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
140 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
50W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-251AA
Pacote / Estojo
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Número do produto base
IXTU1
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Pacote padrão
75
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
STD1NK60-1
FABRICANTE
STMicroelectronics
QUANTIDADE DISPONÍVEL
5751
NÚMERO DA PEÇA
STD1NK60-1-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.38
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Similar
NÚMERO DA PEÇA
STD2HNK60Z-1
FABRICANTE
STMicroelectronics
QUANTIDADE DISPONÍVEL
3054
NÚMERO DA PEÇA
STD2HNK60Z-1-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.51
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Similar
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
IXTP02N50D
MOSFET N-CH 500V 200MA TO220AB
IXFR24N90P
MOSFET N-CH 900V 13A ISOPLUS247
IXTY2R4N50P
MOSFET N-CH 500V 2.4A TO252
