Número do Produto do Fabricante:
STD2HNK60Z-1
Product Overview
Fabricante:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Número da Peça:
STD2HNK60Z-1-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 2A IPAK
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 2A (Tc) 45W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
Inventário:
3054 Pcs Novo Original Em Estoque
12878482
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STD2HNK60Z-1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalagem
Tube
Série
SuperMESH™
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
2A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.8Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4.5V @ 50µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
280 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
45W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-251 (IPAK)
Pacote / Estojo
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Número do produto base
STD2HNK60
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
497-12783-5
STD2HNK60Z1
STD2HNK60Z-1-DG
Pacote padrão
75
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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