IXTP02N50D

Número do Produto do Fabricante:

IXTP02N50D

Product Overview

Fabricante:

IXYS

DiGi Electronics Número da Peça:

IXTP02N50D-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 500V 200MA TO220AB

Descrição Detalhada:

N-Channel 500 V 200mA (Tc) 1.1W (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventário:

32 Pcs Novo Original Em Estoque

12818881

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IXTP02N50D Especificações Técnicas

Categoria

FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs

Fabricante

Littelfuse

Embalagem

Tube

Série

Depletion

Status do produto

Active

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensão de drenagem para fonte (Vdss)

500 V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C

200mA (Tc)

Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

30Ohm @ 50mA, 0V

vgs(th) (máx) @ id

5V @ 25µA

Vgs (máx.)

±20V

Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

120 pF @ 25 V

Recurso FET

Depletion Mode

Dissipação de energia (máx.)

1.1W (Ta), 25W (Tc)

Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem

Through Hole

Pacote de dispositivos do fornecedor

TO-220-3

Pacote / Estojo

TO-220-3

Número do produto base

IXTP02

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados

IXT(P,U,Y)02N50D

Fichas Técnicas

Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Outros nomes

-IXTP02N50D

Pacote padrão

50

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificação DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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