Número do Produto do Fabricante:
IXFP22N60P3
Product Overview
Fabricante:
IXYS
DiGi Electronics Número da Peça:
IXFP22N60P3-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 22A TO220AB
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 22A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventário:
1 Pcs Novo Original Em Estoque
12821944
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IXFP22N60P3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalagem
Tube
Série
HiPerFET™, Polar3™
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
22A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
360mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
5V @ 1.5mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2600 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
500W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220-3
Pacote / Estojo
TO-220-3
Número do produto base
IXFP22
Informação Adicional
Pacote padrão
50
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
TK12E60W,S1VX
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTIDADE DISPONÍVEL
50
NÚMERO DA PEÇA
TK12E60W,S1VX-DG
PREÇO UNITÁRIO
1.42
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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FABRICANTE
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QUANTIDADE DISPONÍVEL
971
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PREÇO UNITÁRIO
0.76
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QUANTIDADE DISPONÍVEL
87
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PREÇO UNITÁRIO
1.64
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QUANTIDADE DISPONÍVEL
1100
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PREÇO UNITÁRIO
0.93
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QUANTIDADE DISPONÍVEL
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PREÇO UNITÁRIO
1.27
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