Número do Produto do Fabricante:
IXFN82N60Q3
Product Overview
Fabricante:
IXYS
DiGi Electronics Número da Peça:
IXFN82N60Q3-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 66A SOT227B
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 66A (Tc) 960W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Inventário:
50 Pcs Novo Original Em Estoque
12821952
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IXFN82N60Q3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalagem
Tube
Série
HiPerFET™, Q3 Class
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
66A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
75mOhm @ 41A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
6.5V @ 8mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
275 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
13500 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
960W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Chassis Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
SOT-227B
Pacote / Estojo
SOT-227-4, miniBLOC
Número do produto base
IXFN82
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Pacote padrão
10
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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