Número do Produto do Fabricante:
IXTQ182N055T
Product Overview
Fabricante:
IXYS
DiGi Electronics Número da Peça:
IXTQ182N055T-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 55V 182A TO3P
Descrição Detalhada:
N-Channel 55 V 182A (Tc) 360W (Tc) Through Hole TO-3P
Inventário:
12821951
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IXTQ182N055T Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalagem
-
Série
TrenchMV™
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
55 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
182A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
114 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4850 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
360W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-3P
Pacote / Estojo
TO-3P-3, SC-65-3
Número do produto base
IXTQ182
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Pacote padrão
30
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
IXTH260N055T2
FABRICANTE
IXYS
QUANTIDADE DISPONÍVEL
3
NÚMERO DA PEÇA
IXTH260N055T2-DG
PREÇO UNITÁRIO
3.89
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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