Número do Produto do Fabricante:
IPP039N10N5XKSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IPP039N10N5XKSA1-DG
Descrição:
MV POWER MOS
Descrição Detalhada:
N-Channel 100 V 100A (Tc) 188W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Inventário:
12992501
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IPP039N10N5XKSA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tube
Série
OptiMOS™
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.9mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3.8V @ 125µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
95 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
7000 pF @ 50 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
188W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO220-3
Pacote / Estojo
TO-220-3
Informação Adicional
Outros nomes
448-IPP039N10N5XKSA1
Pacote padrão
500
Classificação Ambiental e de Exportação
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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