Número do Produto do Fabricante:
GT110N06D5
Product Overview
Fabricante:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
GT110N06D5-DG
Descrição:
N60V, 45A,RD<11M@10V,VTH1.0V~2.4
Descrição Detalhada:
N-Channel 60 V 45A (Tc) 69W (Tc) Surface Mount 8-DFN (4.9x5.75)
Inventário:
9996 Pcs Novo Original Em Estoque
12992524
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GT110N06D5 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Goford Semiconductor
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
GT
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
60 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
45A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11mOhm @ 14A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1202 pF @ 30 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
69W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-DFN (4.9x5.75)
Pacote / Estojo
8-PowerTDFN
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
3141-GT110N06D5CT
3141-GT110N06D5TR
3141-GT110N06D5DKR
Pacote padrão
5,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Certificação DIGI
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