SQJ164ELP-T1_GE3
Número do Produto do Fabricante:

SQJ164ELP-T1_GE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Número da Peça:

SQJ164ELP-T1_GE3-DG

Descrição:

AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Descrição Detalhada:
N-Channel 60 V 75A (Tc) 187W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Inventário:

6000 Pcs Novo Original Em Estoque
12992522
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR

SQJ164ELP-T1_GE3 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET® Gen IV
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
60 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
12mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
57 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3100 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
187W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grau
Automotive
Qualificação
AEC-Q101
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerPAK® SO-8
Pacote / Estojo
PowerPAK® SO-8

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Outros nomes
742-SQJ164ELP-T1_GE3TR
Pacote padrão
3,000

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
goford-semiconductor

GT110N06D5

N60V, 45A,RD<11M@10V,VTH1.0V~2.4

micro-commercial-components

MCU20N06B-TP

MOSFET N-CH 60VDS 20VGS 20A 4.1N

toshiba-semiconductor-and-storage

TPHR9003NL1,LQ

UMOS9 SOP-ADV(N) PD=78W F=1MHZ

micro-commercial-components

SI2324-TP

MOSFET N-CH ENH FET 100VDS 2A 8A