Número do Produto do Fabricante:
IPD50R650CEBTMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IPD50R650CEBTMA1-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 500V 6.1A TO252-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 500 V 6.1A (Tc) 47W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventário:
12801802
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IPD50R650CEBTMA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
-
Série
CoolMOS™ CE
Status do produto
Discontinued at Digi-Key
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
500 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
6.1A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
650mOhm @ 1.8A, 13V
vgs(th) (máx) @ id
3.5V @ 150µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
342 pF @ 100 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
47W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO252-3
Pacote / Estojo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número do produto base
IPD50R
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
SP000992078
IPD50R650CECT-DG
ROCINFIPD50R650CEBTMA1
IPD50R650CEBTMA1CT
IPD50R650CECT
IPD50R650CETR-DG
2156-IPD50R650CEBTMA1
IPD50R650CEBTMA1DKR
IPD50R650CEDKR-DG
-IPD50R650CE
IPD50R650CEBTMA1TR
IPD50R650CE
IPD50R650CETR
IPD50R650CEDKR
Pacote padrão
2,500
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
STD10N60M2
FABRICANTE
STMicroelectronics
QUANTIDADE DISPONÍVEL
6542
NÚMERO DA PEÇA
STD10N60M2-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.53
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
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