Número do Produto do Fabricante:
BSP317PL6327HTSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
BSP317PL6327HTSA1-DG
Descrição:
MOSFET P-CH 250V 430MA SOT223-4
Descrição Detalhada:
P-Channel 250 V 430mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4-21
Inventário:
12801813
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BSP317PL6327HTSA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
-
Série
SIPMOS®
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
250 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
430mA (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4Ohm @ 430mA, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2V @ 370µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
15.1 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
262 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
1.8W (Ta)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-SOT223-4-21
Pacote / Estojo
TO-261-4, TO-261AA
Número do produto base
BSP317
Folha de Dados & Documentos
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
2156-BSP317PL6327HTSA1
BSP317PL6327HTSA1TR
BSP317PL6327INCT
BSP317PL6327HTSA1DKR
BSP317P L6327-DG
BSP317PL6327HTSA1CT
BSP317P L6327
2156-BSP317PL6327HTSA1-ITTR-DG
BSP317PL6327INDKR
BSP317PL6327INTR
BSP317PL6327XT
SP000089220
BSP317PL6327
BSP317PL6327INDKR-DG
BSP317PL6327INCT-DG
BSP317PL6327INTR-DG
IFEINFBSP317PL6327HTSA1
Pacote padrão
1,000
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
BSP317PH6327XTSA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
QUANTIDADE DISPONÍVEL
8987
NÚMERO DA PEÇA
BSP317PH6327XTSA1-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.29
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Parametric Equivalent
Certificação DIGI
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