Número do Produto do Fabricante:
IPAN80R360P7XKSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IPAN80R360P7XKSA1-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 800V 13A TO220
Descrição Detalhada:
N-Channel 800 V 13A (Tc) 30W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Inventário:
12801839
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IPAN80R360P7XKSA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tube
Série
CoolMOS™ P7
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
800 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
13A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
360mOhm @ 5.6A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3.5V @ 280µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
930 pF @ 500 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
30W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO220-FP
Pacote / Estojo
TO-220-3 Full Pack
Número do produto base
IPAN80
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
SP001702158
2156-IPAN80R360P7XKSA1
INFINFIPAN80R360P7XKSA1
Pacote padrão
50
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
TK11A65W,S5X
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTIDADE DISPONÍVEL
81
NÚMERO DA PEÇA
TK11A65W,S5X-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.50
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
NÚMERO DA PEÇA
IXFP12N65X2M
FABRICANTE
IXYS
QUANTIDADE DISPONÍVEL
295
NÚMERO DA PEÇA
IXFP12N65X2M-DG
PREÇO UNITÁRIO
1.80
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
NÚMERO DA PEÇA
IPA80R360P7XKSA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
QUANTIDADE DISPONÍVEL
279
NÚMERO DA PEÇA
IPA80R360P7XKSA1-DG
PREÇO UNITÁRIO
1.03
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Parametric Equivalent
Certificação DIGI
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