Número do Produto do Fabricante:
GT52N10D5
Product Overview
Fabricante:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
GT52N10D5-DG
Descrição:
N100V,RD(MAX)<7.5M@10V,RD(MAX)<1
Descrição Detalhada:
N-Channel 100 V 71A (Tc) 79W (Tc) Surface Mount 8-DFN (5.2x5.86)
Inventário:
14080 Pcs Novo Original Em Estoque
12997597
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GT52N10D5 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Goford Semiconductor
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
SGT
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
71A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7.5mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
44.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2626 pF @ 50 V
Recurso FET
Standard
Dissipação de energia (máx.)
79W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-DFN (5.2x5.86)
Pacote / Estojo
8-PowerTDFN
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
3141-GT52N10D5DKR
3141-GT52N10D5TR
3141-GT52N10D5CT
4822-GT52N10D5TR
Pacote padrão
5,000
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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