Número do Produto do Fabricante:
GT100N12K
Product Overview
Fabricante:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
GT100N12K-DG
Descrição:
N120V,65A,RD<12M@10V,VTH2.5V~3.5
Descrição Detalhada:
N-Channel 120 V 65A (Tc) 75W (Tc) Surface Mount TO-252
Inventário:
2500 Pcs Novo Original Em Estoque
12997601
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GT100N12K Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Goford Semiconductor
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
120 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
65A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
12mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2911 pF @ 60 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
75W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-252
Pacote / Estojo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
3141-GT100N12KTR
3141-GT100N12KCT
3141-GT100N12KDKR
Pacote padrão
2,500
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
RoHS Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0000
Certificação DIGI
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