Número do Produto do Fabricante:
GT025N06AM
Product Overview
Fabricante:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
GT025N06AM-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 60V 170A TO-263
Descrição Detalhada:
N-Channel 170A (Tc) 215W (Tc) Surface Mount TO-263
Inventário:
8000 Pcs Novo Original Em Estoque
12997603
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
GT025N06AM Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Goford Semiconductor
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
SGT
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
170A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.5mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.5V @ 250µA
Vgs (máx.)
±20V
Recurso FET
Standard
Dissipação de energia (máx.)
215W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-263
Pacote / Estojo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
4822-GT025N06AMTR
Pacote padrão
1,600
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
RoHS non-compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
GT035N10T
N100V,190A,RD<3.5M@10V,VTH2.0V~4
GT007N04TL
N40V,150A,RD<1.5M@10V,VTH1.0V~2.
G60N10K
N90V,60A,RD<25M@10V,VTH0.8V~2.5V