Número do Produto do Fabricante:
G30N02T
Product Overview
Fabricante:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
G30N02T-DG
Descrição:
N20V,RD(MAX)<[email protected],VTH0.5V~1.
Descrição Detalhada:
N-Channel 20 V 30A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220
Inventário:
12978363
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G30N02T Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Goford Semiconductor
Embalagem
Tube
Série
TrenchFET®
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
20 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
13mOhm @ 20A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id
1.2V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±12V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
900 pF @ 10 V
Recurso FET
Standard
Dissipação de energia (máx.)
40W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220
Pacote / Estojo
TO-220-3
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
3141-G30N02T
4822-G30N02T
Pacote padrão
50
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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