Número do Produto do Fabricante:
G08P06D3
Product Overview
Fabricante:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
G08P06D3-DG
Descrição:
P60V,RD(MAX)<52M@-10V,VTH-2V~-3.
Descrição Detalhada:
P-Channel 60 V 8A (Tc) 32W (Tc) Surface Mount 8-DFN (3.15x3.05)
Inventário:
5573 Pcs Novo Original Em Estoque
12978365
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ENVIAR
G08P06D3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Goford Semiconductor
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Status do produto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
60 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
52mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2972 pF @ 30 V
Recurso FET
Standard
Dissipação de energia (máx.)
32W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-DFN (3.15x3.05)
Pacote / Estojo
8-PowerVDFN
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
3141-G08P06D3TR
4822-G08P06D3TR
3141-G08P06D3DKR
3141-G08P06D3CT
Pacote padrão
5,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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