Número do Produto do Fabricante:
GT088N06T
Product Overview
Fabricante:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
GT088N06T-DG
Descrição:
N60V,RD(MAX)<9M@10V,RD(MAX)<13M@
Descrição Detalhada:
N-Channel 60 V 60A (Tc) 75W (Tc) Through Hole TO-220
Inventário:
40 Pcs Novo Original Em Estoque
12978367
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GT088N06T Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Goford Semiconductor
Embalagem
Tube
Série
SGT
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
60 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9mOhm @ 14A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1620 pF @ 30 V
Recurso FET
Standard
Dissipação de energia (máx.)
75W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220
Pacote / Estojo
TO-220-3
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
4822-GT088N06T
3141-GT088N06T
Pacote padrão
50
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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