Número do Produto do Fabricante:
FQI4N90TU
Product Overview
Fabricante:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
FQI4N90TU-DG
Descrição:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
Descrição Detalhada:
N-Channel 900 V 4.2A (Tc) 3.13W (Ta), 140W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262)
Inventário:
1502 Pcs Novo Original Em Estoque
12947371
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FQI4N90TU Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Embalagem
Bulk
Série
QFET®
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
900 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
4.2A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.3Ohm @ 2.1A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1100 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
3.13W (Ta), 140W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
I2PAK (TO-262)
Pacote / Estojo
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Número do produto base
FQI4N90
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
2156-FQI4N90TU
ONSFSCFQI4N90TU
Pacote padrão
254
Classificação Ambiental e de Exportação
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certificação DIGI
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