EPC2107
Número do Produto do Fabricante:

EPC2107

Product Overview

Fabricante:

EPC

DiGi Electronics Número da Peça:

EPC2107-DG

Descrição:

GANFET 3 N-CH 100V 9BGA
Descrição Detalhada:
Mosfet Array 100V 1.7A, 500mA Surface Mount 9-BGA (1.35x1.35)

Inventário:

5527 Pcs Novo Original Em Estoque
12795189
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR

EPC2107 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
EPC
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
eGaN®
Status do produto
Active
Tecnologia
GaNFET (Gallium Nitride)
Configuração
3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
Recurso FET
-
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
1.7A, 500mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
320mOhm @ 2A, 5V, 3.3Ohm @ 2A, 5V
vgs(th) (máx) @ id
2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
16pF @ 50V, 7pF @ 50V
Potência - Máx.
-
Temperatura de operação
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Estojo
9-VFBGA
Pacote de dispositivos do fornecedor
9-BGA (1.35x1.35)
Número do produto base
EPC210

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados
EPC2107
Fichas Técnicas
EPC2107
Folha de Dados HTML
EPC2107-DG

Informação Adicional

Outros nomes
917-1168-2
917-1168-1
917-1168-6
Pacote padrão
2,500

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Produtos Relacionados
epc

EPC2111

GANFET 2N-CH 30V 16A DIE

epc

EPC2103

GANFET 2N-CH 80V 28A DIE

epc

EPC2101ENGRT

GANFET 2N-CH 60V 9.5A/38A DIE

epc

EPC2100ENGRT

GANFET 2 N-CH 30V 9.5A/38A DIE