Número do Produto do Fabricante:
EPC2101ENGRT
Product Overview
Fabricante:
EPC
DiGi Electronics Número da Peça:
EPC2101ENGRT-DG
Descrição:
GANFET 2N-CH 60V 9.5A/38A DIE
Descrição Detalhada:
Mosfet Array 60V 9.5A, 38A Surface Mount Die
Inventário:
12795217
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
EPC2101ENGRT Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
EPC
Embalagem
-
Série
eGaN®
Status do produto
Discontinued at Digi-Key
Tecnologia
GaNFET (Gallium Nitride)
Configuração
2 N-Channel (Half Bridge)
Recurso FET
-
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
9.5A, 38A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11.5mOhm @ 20A, 5V
vgs(th) (máx) @ id
2.5V @ 2mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
2.7nC @ 5V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
300pF @ 30V
Potência - Máx.
-
Temperatura de operação
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Estojo
Die
Pacote de dispositivos do fornecedor
Die
Número do produto base
EPC210
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
917-EPC2101ENGRDKR
917-EPC2101ENGRCT
917-EPC2101ENGRTR
Pacote padrão
500
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0040
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
EPC2100ENGRT
GANFET 2 N-CH 30V 9.5A/38A DIE
CSD75211W1723
MOSFET 2P-CH 20V 4.5A 12DSBGA
EPC2104ENGRT
GANFET 2N-CH 100V 23A DIE